ASML公布Hyper-NA EUV光刻机路线图：NA突破0.75支撑0.7nm以下制程，2030年代中后期落地

当地时间6月17日，全球唯一EUV光刻机供应商ASML在SPIE EUVL 2026大会上公布最新技术路线图，正式抛出下一代Hyper-NA EUV光刻机的长期蓝图。数值孔径（NA）将突破0.75，超越当前High-NA的0.55，可支撑A7节点之后更先进制程的单次曝光能力，预计2030年代中后期落地。

Hyper-NA EUV的核心参数与意义

ASML技术高级副总裁Jos Benschop在大会上正式宣布了Hyper-NA EUV的研发方向。核心参数方面，数值孔径将从当前High-NA的0.55突破至0.75以上，进一步提升光刻分辨率。关键技术目标是维持单次曝光可行性——在更先进节点上避免多重曝光带来的复杂度与成本上升，延续传统光刻缩微路线。预计落地时间为2030年代中后期，承接2033年A7节点之后的需求。

High-NA EUV量产势头良好

ASML资深技术高管Chris DeRuiter同时介绍了当前High-NA EUV（0.55NA）的产业化进展。首台EXE:5000于2023年四季度出货，2024年三季度完成首片晶圆曝光，升级版EXE:5200B于2024年四季度交付。2025年搭载1000W激光光源后产能达175片/小时，截至2025年12月全球累计生产50万片High-NA晶圆。相比传统0.33NA EUV，High-NA将关键层曝光次数从3次减至1次，大幅压低制程复杂度。DeRuiter表示High-NA量产势头良好，将成为未来数年先进制程的核心支撑。

完整技术路线图脉络

ASML的技术路线图呈现清晰的阶梯式演进：0.33NA EUV支撑传统先进制程，0.55NA High-NA EUV支撑至A7节点约2033年，0.75NA以上Hyper-NA EUV支撑A7之后更先进制程。需要澄清的是，A7常被称作0.7nm代次，但这只是命名规则而非芯片实际物理尺寸，它是当前High-NA光刻机单次曝光能力的极限所在。Hyper-NA的出现意味着光刻缩微这条传统路线仍有继续延伸的空间。

两条路线的并行格局

值得关注的是，半导体产业如今不再只有光刻缩微这一条独木桥。2026年5月，华为CEO何庭波在上海ISCAS2026大会上正式发布韬定律，核心思路是以时间缩微替代几何缩微，通过逻辑折叠技术同步提升芯片性能与晶体管密度，目标在2031年实现与1.4nm制程同等的芯片水平。两条路线并行意味着半导体产业进入多元创新阶段——ASML继续推进光刻几何缩微的极致化，华为等受地缘限制的企业则在系统级创新方向上探索差异化追赶路径。